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APTC60DDAM35T3G中文资料

APTC60DDAM35T3G图片

APTC60DDAM35T3G外观图

  • 大小:308.6KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Dual boost chopper Super Junction MOSFET Power Module
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:72A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:35 毫欧 @ 72A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 5.4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:518nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:14000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:416W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商设备封装:SP3
  • 包装:散装
  • 其它名称:APTC60DDAM35T3GMPAPTC60DDAM35T3GMP-ND

APTC60DDAM35T3G供应商

更新时间:2023-01-02 20:51:12
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